电场暴露抑制晶状体上皮伤口的愈合

王恩普1 王恩彤2

1 空军总医院眼科 北京 100036

2 空军总医院耳鼻咽喉头颈外科

目的 探讨白内障晶状体摘除及人工晶状体置换术后后囊膜浑浊的发生机制及电场信号在其中的作用意义。设计　采用伤口愈合测试模型研究后囊膜浑浊，以外源性电场模拟晶状体内源性电场观察其对晶状体上皮伤口愈合的影响，未受电场暴露的伤口作为对照。研究对象　原代培养的牛晶状体上皮细胞及其细胞单层 图像分析系统记录、测量伤口面积，伤口及其细胞微丝骨架行F-actin染色。主要指标　伤后0ｈ、1ｈ和2h的伤口面积、伤口细胞行为及细胞微丝骨架的排列。结果　与对照伤口比较，电场暴露伤口闭合延迟，愈合明显受抑，伤口的细胞爬入及其伪足的伸出明显受阻，细胞微丝骨架排列亦明显不同于对照伤口。结论　电场影响晶状体上皮的细胞行为，抑制其伤口的愈合，白内障术后的晶状体内源性电场信号的改变可能与后囊膜浑浊的发生有关。