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半导体激光、氩激光、532 nm激光经瞳孔光凝兔眼视网膜的组织学反应比较

http://www.cnophol.com 2009-9-16 10:17:14 中华眼科在线

  三、光镜检查

  轻、中度光斑:3种激光光斑外形相似。半导体激光光斑色素上皮细胞肿胀,细胞间有细小的间隙,下方有浅层积液,视细胞层略显肿胀、隆起,内外颗粒层、内丛状层无明显异常;慢性期局部色素细胞色素增多,部分细胞与邻近细胞分离,突向视细胞层;视细胞层变薄,内、外颗粒层、外丛状层结构混乱,细胞排列无序,其间有色素颗粒沉着,脉络膜、视网膜内层变化不明显。氩激光、532 nm激光光斑色素上皮肿胀,呈串珠状,边缘模糊,视细胞层肿胀不明显;慢性期色素上皮细胞连续性下降,视细胞层消失,内、外颗粒层、外丛状层细胞混乱,有色素颗粒沉着,内丛状层有少量色素,节细胞层改变不明显。

  重度光斑:半导体激光光斑色素上皮细胞肿胀、皱缩,其下少量积液,视细胞层向上隆起,呈无结构样,外颗粒层细胞融合呈深染,内颗粒层空泡样变,神经纤维层受挤压变薄。脉络膜实质热凝固,巩膜内层热损伤。氩激光光斑色素上皮热凝固、肿胀,视网膜各层呈锥形肿胀,突向玻璃体腔。532 nm激光光斑色素上皮肿胀、断裂,视网膜各层细胞向内隆起,结构混乱。

  四、透射电镜检查

  半导体激光:色素上皮细胞核染色质向核膜趋化,细胞内线粒体嵴肿胀、断裂。溶酶体内含髓鞘样结构,色素上皮细胞基底膜不规则,但尚完整。Bruch膜层次不清,外胶原层消失。脉络膜凝固、变性,部分呈无结构样。视网膜各层结构混乱,色素细胞、外颗粒层、内颗粒层细胞混合。内界膜尚完整。

  氩激光和532 nm激光:色素上皮细胞内色素浓缩,线粒体破坏,基底膜呈犬齿状突起,Bruch膜收缩弯曲。色素上皮细胞内溶酶体功能活跃,脉络膜内皮细胞轻度肿胀。色素细胞游离至内颗粒层,双极细胞空泡样变,色素细胞和颗粒层细胞结构混乱。视细胞膜盘呈均质无结构样改变,细胞间空泡形成。内颗粒层有炎症细胞浸润和色素颗粒游离。

  讨  论

  本实验中半导体激光波长为810 nm,属近红外激光。这种激光能很好地穿过角膜、房水、晶体和玻璃体。氧合血红蛋白和黄斑的叶黄素对半导体激光的吸收率很低。半导体激光和氩激光对0.1 mm厚的还原型血红蛋白的穿透率分别为60%、4%[4],色素上皮、脉络膜对半导体激光和氩激光的吸收率分别为20%~25%和95%。要形成相似的视网膜、脉络膜光凝效果,半导体激光所需要的能量是氩激光的3.8~4.8倍[1]。本实验中应用的半导体激光光凝能量密度与Balles等[2]和Brancato等[5]的相似,均为氩激光的3~4倍。

  光镜检查见3种不同激光轻至中度光凝引起的组织学反应相似,表现为光斑内色素上皮肿胀、脱颗粒,视细胞层变薄,内、外颗粒层结构混乱,色素沉着。Duker等[6]认为半导体激光视网膜光凝的组织学反应与氩激光者几乎完全一样,不能区分。半导体激光重度光斑内可见脉络膜全层热损伤,部分实质热凝固,呈无结构样,巩膜内层水肿;色素上皮肿胀,其下积液、浅脱离,神经节细胞层改变不明显。氩激光、532 nm激光斑视网膜全层呈无序状态,向玻璃体腔高起,色素上皮肿胀,部分断裂。

  透射电镜下见氩激光光斑内Bruch膜弯曲,但仍完整,脉络膜毛细血管内皮细胞轻度肿胀。色素上皮细胞破坏严重,溶酶体功能活跃。有报道见视细胞层有爆裂性损伤,可见大量色素颗粒和膜盘碎片[7]。半导体激光光凝部分脉络膜呈无结构样改变。Brancato等[8]报道照射部位毛细血管内血栓形成、血小板凝集,以致管腔完全闭塞、血管内皮消失,色素上皮内可见含髓鞘结构的溶酶体。髓鞘样结构是次级溶酶体逐级吞噬所形成的。视细胞内线粒体空泡样变,外颗粒层核固缩、深染。半导体激光视网膜损伤多为凝固性的,这可能与其视网膜、脉络膜吸收率比氩激光者低、受照部位升温慢有关。

  与氩激光、532 nm激光相比,半导体激光穿透力较强,作用位置较深,光凝局部视网膜出现反应的时间较长,因而不易掌握合适的光凝反应程度。临床上常规视网膜光凝治疗时,应用氩激光、532 nm激光更为合适。如果半导体激光光凝后即刻出现与氩激光、532 nm激光相似的反应,则表明光凝已过量,可造成脉络膜、内层巩膜的损害,故治疗时应适当降低功率、延长脉宽。当视网膜出现轻微变白时,说明已是有效功率密度。

  参考文献:

  [1] Benner JD, Huang M, Morse LS, et al. Comparison of photocoagulation with the argon, krypton, and diode laser indirect ophthalmoscopes in rabbit eyes[J]. Ophthalmology, 1992, 99:1554-1563.

  [2] Balles MW, Puliafito CA, D'amico DJ, et al. Semiconductor diode laser photocoagulation in retinal vascular disease[J]. Ophthalmology, 1990, 97:1553-1561.

  [3] Hunter DG, Repka MX. Diode laser photocoagulation for threshold retinopathy of prematurity. A radndomized study[J]. Ophthalmology, 1993, 100:238-244.

  [4] Cohen SM, Shen JH, Ren Q, et al. Argon, krypton and diode laser transmission through blood[J]. Invest Ophthalmol Vis Sci, 1994, 35(Suppl):1750.

  [5] Brancato R, Bandello F, Trabucchi G, et al. Argon and diode laser photocoagulation in proliferative diabetic retinopathy: a preliminary report[J]. Laser Light Ophthalmol, 1990, 3:233-237.

  [6] Duker JS, Federman JL, Schubert H, et al. Semiconductor diode laser endophotocoagulation[J]. Ophthalmic Surg, 1989, 20:717-719.

  [7] Wallow IL, Sponsel WE, Stevens TS. Clinicopathologic correlation of diode laser burns in monkeys[J]. Arch Ophthalmol, 1991, 109:648-653.

  [8] Brancato R, Pratesi R, Leoni G, et al. Histopathology of diode and argon laser lesions in rabbit retina[J]. Invest Ophthalmol Vis Sci, 1989, 30:1504-1510.

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(来源:互联网)(责编:xhhdm)

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